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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.81 |
10+ | $1.628 |
100+ | $1.3084 |
500+ | $1.0749 |
1000+ | $0.8907 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-VSONP (5x6) |
Serie | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.1W (Ta), 150W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3840 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | CSD18501 |
CSD18501Q5A Einzelheiten PDF [English] | CSD18501Q5A PDF - EN.pdf |
TI VSONP8
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
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MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() CSD18501Q5A |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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